当前位置：首页 >文章发布 > 正文
中国科学家在半导体领域获突破 登上《自然》杂志
来源：中国青年报 作者：
佚名
2024-06-11 09:25:31
中国科学院大学教授周武课题组与合作单位共同研究，提出了一种全新的基于界面耦合的p型掺杂二维半导体方法，打破了硅基逻辑电路的底层“封印”，基于量子效应获得了三维(3D)垂直集成多层互补型晶体管电路，为后摩尔时代未来二维半导体器件的发展提供了思路。
中国科学院大学教授周武课题组与合作单位共同研究，提出了一种全新的基于界面耦合的p型掺杂二维半导体方法，打破了硅基逻辑电路的底层“封印”，基于量子效应获得了三维(3D)垂直集成多层互补型晶体管电路，为后摩尔时代未来二维半导体器件的发展提供了思路。近日，该项由中国科学家主导的半导体领域新成果登上《自然》杂志。
经过数十年发展，半导体工艺制程已逐渐逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路以实现三维集成技术的突破，已成为国际半导体领域积极探寻的新方向。
由于硅基晶体管的现代工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，难以实现在一层离子注入的单晶硅上方再次生长或转移单晶硅。虽然可以通过三维空间连接电极、芯粒等方式提高集成度，但是关键的晶体管始终被限制在集成电路最底层，无法获得厚度方向的自由度。新材料或颠覆性原理因此成为备受关注的重要突破点。
免责声明：本文系网络转载，版权归原作者所有。本文所用图片、文字如涉及作品版权问题，请联系删除！本文内容为原作者观点，并不代表本网站观点。
编辑：乔帅臣
龙凤堂蒋军：从降本增效到全产业链管控
