当前位置：首页 >文章发布 > 正文
韩国半导体厂商研发 ALD 新技术，降低 EUV 工艺步骤需求
来源：IT之家 作者：
佚名
2024-07-16 11:09:48
7月16日消息，韩媒TheElec报道，韩国半导体公司周星工程(JusungEngineering)最新研发出原子层沉积(ALD)技术，可以在生产先进工艺芯片中降低极紫外光刻(EUV)工艺步骤需求。
7月16日消息，韩媒TheElec报道，韩国半导体公司周星工程(JusungEngineering)最新研发出原子层沉积(ALD)技术，可以在生产先进工艺芯片中降低极紫外光刻(EUV)工艺步骤需求。
极紫外光刻(EUV)又称作超紫外线平版印刷术，是一种使用极紫外光波长的光刻技术，目前用于7纳米以下的先进制程，于2020年得到广泛应用。
周星工程董事长ChulJooHwang表示当前DRAM和逻辑芯片的扩展已达到极限，因此需要像NAND一样，通过堆叠晶体管的方式克服这个问题。
半导体行业如果想要把晶体管微缩到更小尺寸，一种方案就是堆叠晶体管，其中一个佐证是深紫外线(DUV)设备有望用于生产3DDRAM。
Hwang说，随着堆叠变得越来越重要，ALD机器的需求也将增加。III-V和IGZO半导体的生产也需要ALD设备。
免责声明：本文系网络转载，版权归原作者所有。本文所用图片、文字如涉及作品版权问题，请联系删除！本文内容为原作者观点，并不代表本网站观点。
编辑：乔帅臣
施工企业的数字化是怎么被玩废的
