当前位置：首页 >文章发布 > 正文
新型薄膜半导体电子迁移速度创纪录
来源：科技日报 作者：
佚名
2024-07-18 08:49:36
据美国趣味科学网站近日报道，来自美国麻省理工学院、美国陆军作战能力发展司令部(DEVCOM)陆军研究实验室和加拿大渥太华大学等机构的科学家，利用名为三元石英的晶体材料，成功研制出一种新型超薄晶体薄膜半导体。
据美国趣味科学网站近日报道，来自美国麻省理工学院、美国陆军作战能力发展司令部(DEVCOM)陆军研究实验室和加拿大渥太华大学等机构的科学家，利用名为三元石英的晶体材料，成功研制出一种新型超薄晶体薄膜半导体。薄膜厚度仅100纳米，约为人头发丝直径的千分之一。其中电子的迁移速度创下新纪录，约为传统半导体的7倍。这一成果有助科学家研制新型高效电子设备。相关论文发表于《今日材料物理学》杂志。
免责声明：本文系网络转载，版权归原作者所有。本文所用图片、文字如涉及作品版权问题，请联系删除！本文内容为原作者观点，并不代表本网站观点。
编辑：刘婧
施工企业的数字化是怎么被玩废的
