当前位置:首页 >文章发布 > 正文
极紫外光刻新技术问世 能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本
来源:财联社 作者:
佚名
2024-08-02 07:50:37
据日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)官网最新报告,该校设计了一种极紫外(EUV)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。
据日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)官网最新报告,该校设计了一种极紫外(EUV)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源,其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一,从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。
免责声明:本文系网络转载,版权归原作者所有。本文所用图片、文字如涉及作品版权问题,请联系删除!本文内容为原作者观点,并不代表本网站观点。
编辑:乔帅臣