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英飞凌实现全球首个300mm功率氮化镓GaN晶圆技术
来源：IT之家 作者：
佚名
2024-09-12 09:19:14
9月11日消息，英飞凌今日宣布成功开发出全球首个300mm(12英寸)功率GaN(氮化镓)晶圆技术，并率先在现有的可扩展大批量制造环境中掌握这一突破性技术。
9月11日消息，英飞凌今日宣布成功开发出全球首个300mm(12英寸)功率GaN(氮化镓)晶圆技术，并率先在现有的可扩展大批量制造环境中掌握这一突破性技术。
与200mm晶圆相比，300mm晶圆上的芯片生产在技术上更先进、效率更高，更大的晶圆直径可以提供2.3倍的芯片。
GaN基功率半导体正迅速应用于工业、汽车、消费、计算和通信应用，包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统。此外，300mm晶圆通过可扩展性确保了上级客户供应稳定性。
英飞凌科技股份公司CEOJochenHanebeck在公告中称：“这项技术突破将改变行业游戏规则，使我们能够释放氮化镓的全部潜力。在收购GaNSystems近一年后，我们再次证明我们决心成为快速增长的GaN市场的领导者。作为电力系统的领导者，英飞凌掌握了所有三种相关材料：硅、碳化硅和氮化镓。”
从英飞凌公告中获悉，英飞凌在其位于奥地利菲拉赫(Villach)的功率晶圆厂中，利用现有的300mm硅生产线，成功地在集成中试生产线上制造出300mmGaN晶圆，并利用其在现有300mm硅和200mmGaN生产线上的成熟能力。英飞凌表示将根据市场需求进一步扩大GaN产能。
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