据悉，台积电计划将InFO-SoW与SoIC结合，形成CoW-SoW，在晶圆上堆叠存储器或逻辑芯片，并预计在2027年开始量产。

23日讯，SK海力士将于9月台湾国际半导体展(Semicon Taiwan)时宣布与台积电、英伟达更紧密的合作计划，...

据IDC报告，三大内存原厂三星电子、SK海力士、美光分列2024年一季度半导体IDM企业营收榜单第一、三、四...

SK海力士首席执行官郭鲁正表示，由于HBM等高性能存储器芯片的强劲需求，存储器芯片市场还将维持一段时间...

31日获悉，三星电子公司计划今年开始量产其第五代高带宽存储器(HBM)芯片HBM3e，并迅速提高其对营收的贡献。

据报道，半导体封装公司Genesem已向芯片制造商SK海力士提供其下一代混合键合设备，用于生产高带宽内存(HBM)。

7月17日消息，《韩国经济日报》(Hankyung)表示，SK海力士将采用台积电N5工艺版基础裸片(BaseDie)构建HBM4内存。

7月4日消息，韩媒 NewDaily 报道称，三星电子通过了英伟达的 HBM3e(高带宽内存)质量测试。三星即将开...

此前获国家大基金投资的半导体上市公司负责人介绍称，国家大基金三期将有望聚焦在“大型半导体制造厂以...

16日讯，SK海力士与台积电已敲定下一代HBM的合作量产计划。

14日消息，HBM负责人KimGwi-wook近日在官方公告中声称当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK...

据科技媒体ZDNET Korea报道，业界消息称，国际半导体标准组织(JEDEC)的主要参与者最近同意将HBM4产品的...

近日，三星电子宣布，已成功开发12层HBM3E，计划于今年上半年开始量产，公司并未透露具体客户。

据报道，韩国将HBM确定为国家战略技术，并将为HBM技术供应商提供税收优惠，如三星电子和SK海力士。

全球第二大存储芯片制造商韩国SK海力士公司12月7日表示，已成立一个名为AI Infra的新部门，负责人工智...

8月3日讯，韩美半导体日前宣布开设邦德工厂，扩大其大规模TC键合机产能 (CAPA) 以满足客户需求。